Your location is here: dravecky.net  ⇒ Rework, Reballing ⇒ Chip testing ⇒ Samsung DDR3

Samsung DDR3
K4B2G0846C

Upozornenie:

  • Uvedené hodnoty sú namerané na funkčnom chipe. Merať treba v oboch smeroch, uvádzam vždy nižšiu hodnotu.  
  • Odchylka neznamená problém pokiaľ napríklad namiesto 10KΩ nameráte 8KΩ alebo 12KΩ. Pokiaľ ale nameráte 5Ω tam, kde je uvedené 2KΩ, tak to už problém je.

Na pamätiach tohto typu najčastejšie vznikne vnútorný skrat medzi VSSQ a VSS. Na funkčnom chipe je odpor medzi VSSQ a VSS viac ako 30 Kohm. Aj keď su oba signály privedené na zem, nie sú v chipe navzájom prepojené. 


No comments available