Your location is here: dravecky.net ⇒ ⇒ Samsung DDR3
Samsung DDR3 K4B2G0846C Upozornenie:
Na pamätiach tohto typu najčastejšie vznikne vnútorný skrat medzi VSSQ a VSS. Na funkčnom chipe je odpor medzi VSSQ a VSS viac ako 30 Kohm. Aj keď su oba signály privedené na zem, nie sú v chipe navzájom prepojené.
|